CXMT, el principal fabricante chino de DRAM, anunció el domingo 20 de septiembre que su plataforma tecnológica de quinta generación, conocida como G5, ya entró en producción masiva. La empresa presentó además dos productos LPDDR5X de 24 gigabits destinados a smartphones y otros dispositivos portátiles. El nuevo proceso promete más memoria por oblea, menor consumo y costos más bajos, pero el dato de rendimiento publicado por la compañía todavía mide chips potenciales antes de descontar los defectuosos. El anuncio refuerza la apuesta de China por reducir su dependencia de Samsung, SK hynix y Micron, aunque aún no identifica teléfonos concretos ni revela el volumen de suministro que llegará a clientes.
Dos chips para diseños distintos
El anuncio se produjo en el World Manufacturing Convention 2026, en Hefei. CXMT dijo que sus dos nuevos productos LPDDR5X se fabrican en la plataforma G5 y ya se encuentran en producción masiva.
LPDDR5X es una variante de DRAM de bajo consumo diseñada principalmente para teléfonos, tabletas, computadoras portátiles y otros equipos alimentados por batería. Su función es servir como memoria de trabajo para aplicaciones y procesos, no como almacenamiento permanente de archivos.
El reporte técnico de Electronic Products World identifica dos encapsulados para los nuevos componentes, de 496 y 245 bolas, pensados para diseños diferentes de smartphones y dispositivos portátiles. La variedad de encapsulados permite adaptar la memoria al espacio disponible y a la arquitectura de cada equipo.
La notación también importa: cuando CXMT habla de 24 Gb se refiere a 24 gigabits, equivalentes a 3 GB en la conversión básica. No significa que cada teléfono vaya a incluir solo 3 GB de RAM. La capacidad final depende de cuántos componentes se integren y de cómo se configure el paquete de memoria.
Qué significa el salto a 11.95 nanómetros
CXMT afirmó que redujo a 11.95 nanómetros el semipaso de la zona activa de la matriz DRAM, la región donde se forman las estructuras que almacenan los datos. Para lograrlo utilizó una técnica de cuádruple exposición, que repite etapas de fabricación para formar patrones más pequeños.
La cifra no debe leerse como si fuera, por sí sola, un nodo de fabricación equivalente a los que se usan para nombrar procesadores lógicos de smartphones. Describe una dimensión concreta dentro de la matriz de memoria. Su importancia está en que permite colocar más estructuras en el mismo espacio, pero la comparación completa también depende del diseño, el consumo, el rendimiento de fabricación y la proporción de chips que superan las pruebas finales.
La compañía aseguró que la plataforma G5 puede producir al menos 50% más de chips individuales por oblea que su plataforma de cuarta generación. El cálculo utiliza un dado de 8 Gb como referencia y mide la producción bruta, es decir, el número potencial antes de eliminar las unidades con defectos.
Ese matiz cambia la lectura del anuncio. El 50% no es una cifra de rendimiento útil ni significa que saldrán 50% más chips vendibles. En los materiales revisados no aparece un porcentaje de rendimiento final, una tasa de defectos, precios ni pruebas externas de consumo y desempeño.
Un nuevo proveedor para la memoria móvil china
DRAM es un mercado dominado por Samsung Electronics, SK hynix y Micron. La producción masiva de G5 le daría a los fabricantes de dispositivos en China otra fuente de suministro para la memoria de teléfonos, en un momento en que Beijing intenta reducir su dependencia tecnológica y las restricciones estadounidenses limitan el acceso chino a determinados equipos y programas avanzados para fabricar semiconductores.
El alcance del anuncio, sin embargo, es más preciso que la idea de que CXMT ya igualó a todos sus competidores. Luo Xiaodong, vicepresidente de CXMT y responsable de su centro de marketing, afirmó que la capacidad de proceso de la empresa está a la altura de los nodos de producción masiva más avanzados. Esa es una declaración de la compañía, no el resultado de una comparación independiente publicada junto con el anuncio.
También conviene separar este avance de la memoria HBM para aceleradores de inteligencia artificial. La plataforma G5 y los nuevos productos anunciados corresponden a DRAM convencional y LPDDR5X para dispositivos móviles. En nuestra cobertura anterior explicamos qué se sabe de los pequeños lotes de HBM3E atribuidos a CXMT y por qué ese frente todavía no equivale a un suministro estable: lo que CXMT ya fabrica en HBM3E.
El siguiente dato decisivo será comprobar si los dos productos aparecen en teléfonos comerciales, con qué clientes y a qué volumen. CXMT anunció un hito de fabricación concreto, pero las fuentes revisadas todavía no identifican modelos de smartphones ni permiten medir si la escala de G5 puede acercarse a la de los tres grandes proveedores globales.
