El fabricante chino CXMT prevé iniciar una producción limitada de memoria HBM3E para procesadores de IA en los próximos dos meses, según Reuters. La agencia cita a dos personas familiarizadas con el asunto que sitúan entre el 20 % y el 30 % la proporción de chips que cumplen las especificaciones.
Reuters vincula el plan con la escasez de HBM en China. Las mismas fuentes estiman una tasa cercana al 70 % para SK hynix. CXMT no respondió a Reuters; SK hynix tampoco contestó de inmediato sobre esa estimación.
En agosto recogimos el reporte de The Information sobre pequeñas cantidades de HBM3E. Reuters no precisa cómo encaja el nuevo plazo con aquella producción inicial.
La fabricación y las prestaciones muestran brechas distintas
La HBM apila y conecta varios chips de memoria DRAM para transferir datos a gran velocidad, como explica SK hynix en su presentación de HBM3E. El porcentaje de piezas aprovechables mide el rendimiento de fabricación; las prestaciones describen cómo funciona la memoria.
Una de las personas citadas por Reuters señaló que, en pruebas, la HBM3E de CXMT se acerca más a la HBM3 anterior de SK hynix.
SK hynix espera que HBM4 supere a HBM3E este trimestre
En sus resultados publicados el 28 de octubre de 2026, SK hynix informó de la expansión de HBM4 y prevé que esa generación supere a HBM3E tanto en volumen de envíos como en ingresos durante el cuarto trimestre de 2026.
El acceso a memoria extranjera también condiciona la carrera china. La Oficina de Industria y Seguridad de Estados Unidos (BIS) anunció controles sobre HBM avanzada hacia China en diciembre de 2024, dentro de un paquete que incluyó equipos y software para fabricar semiconductores.
La expansión del fabricante surcoreano ya tiene un objetivo industrial: llevar su planta M15X a máxima capacidad antes de que termine 2026 para aumentar la producción de HBM4, según el mismo comunicado.
