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Hardware

CXMT planea lanzar memoria DDR5 4F² para servidores antes de terminar 2026

CXMT prepara módulos RDIMM con celdas de memoria más pequeñas. La arquitectura busca aumentar la densidad, pero la capacidad final y la compatibilidad dependerán del producto.

por Gerardo Pavez
A stick of DDR5-5600 with CXMT memory modules
Imagen de archivo (2026) · Foto: Padgriffin, CC BY 4.0, vía Wikimedia Commons

ChangXin Memory Technologies (CXMT) planea lanzar antes de terminar 2026 módulos DDR5 para servidores basados en la arquitectura DRAM 4F². El diseño reduce el espacio ocupado por cada celda y busca incorporar más memoria en un chip. El calendario es una meta anunciada por la empresa, que eligió el formato RDIMM para el primer producto de esta arquitectura.

El presidente de CXMT, Cao Kanyu, presentó el plan el 10 de octubre de 2026 en una conferencia de chips integrados y chiplets celebrada en Shanghái, según el reporte de Yicai.

La elección de RDIMM define a quién va dirigido el producto. Estos módulos incorporan un registro que gestiona señales entre los chips de RAM y el controlador de memoria. Micron explica que esa configuración favorece la integridad de las señales y permite instalar más memoria con estabilidad en servidores.

También requiere procesadores y placas compatibles con memoria registrada. Una computadora diseñada para módulos UDIMM, habituales en equipos de escritorio, utiliza una plataforma distinta. Compartir la denominación DDR5 no hace intercambiables esos formatos.

Celdas más pequeñas, capacidad por comprobar

F representa el tamaño mínimo de una característica del proceso de fabricación. La expresión 4F² describe el área de cada celda: cuatro veces ese tamaño al cuadrado. SK hynix explica que equivale a un cuadrado de 2F por 2F, frente al diseño 6F² habitual.

El cálculo geométrico ayuda a entender la diferencia. Manteniendo el mismo valor de F, pasar de seis a cuatro unidades de área reduce la superficie de cada celda en un tercio, aproximadamente 33.3 %. En una superficie dedicada exclusivamente a esas celdas cabría un 50 % más. La comparación se limita al área de las celdas y supone que las demás condiciones permanecen iguales.

TweakTown sitúa el aumento potencial de densidad entre 30 % y 50 %. Esa cifra describe una posibilidad del diseño; la capacidad en gigabytes de un módulo y su velocidad de transferencia son especificaciones diferentes.

Cao atribuyó el avance a un transistor VSG, siglas de Vertical Surrounded Gate, desarrollado por CXMT. Según la explicación recogida por Yicai, el canal se dispone verticalmente y la compuerta lo rodea para controlar la corriente. La compañía busca reducir las fugas eléctricas y los problemas asociados a canales más cortos, además de ocupar menos superficie.

Los servidores exigen funcionamiento continuo

Yicai señala que CXMT había orientado buena parte de su negocio a electrónica de consumo. El mercado de servidores exige memoria que sostenga un funcionamiento ininterrumpido, con mayores requisitos de estabilidad.

Para evaluar el producto terminado harán falta sus especificaciones de capacidad, velocidad y compatibilidad con cada plataforma. La reducción del área de una celda resuelve una parte del diseño; la integración del módulo en un servidor añade exigencias eléctricas y de funcionamiento que Micron describe en su documentación sobre RDIMM.

La misma dirección tecnológica aparece en la hoja de ruta de SK hynix. En junio de 2025, la compañía anunció planes para incorporar plataformas 4F² con compuertas verticales y DRAM tridimensional a tecnologías de 10 nanómetros o menos, ante las dificultades de seguir miniaturizando sus diseños.

CXMT ha elegido DDR5 RDIMM como primer destino comercial de su arquitectura. Esa decisión sitúa la posible ganancia de capacidad en los servidores y convierte la estabilidad de los módulos en parte central de la propuesta.

Fuentes: 1, 2, 3, 4

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por Gerardo Pavez

Redactor y creador de contenido especializado en deportes y tecnología. Apasionado por todo lo que ocurre dentro y fuera de la cancha.

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