> ## Content Index > Fetch the complete content index at: https://fomoera.com/llms.txt > Use this file to discover other available public pages before exploring further. # TSMC y Samsung se suman a High NA, pero la máscara que lo desbloquea apunta a 2033 - URL: https://fomoera.com/tsmc-y-samsung-se-suman-a-high-na-pero-la-mascara-que-lo-desbloquea-apunta-a-2033/ - Published: 2026-09-08T17:30:21.000Z - Updated: 2026-09-08T17:30:21.000Z - Description: ASML sumó a TSMC y Samsung a su litografía High NA EUV, con Intel ya en producción. Las tres respaldan el cambio de fotomáscaras de 6 a 12 pulgadas, con línea piloto en 2031 y equipos listos en 2033. Hasta entonces, el chip grande de IA se sigue imprimiendo en dos mitades. - Author: Gerardo Pavez - Tags: Tecnología y Ciencia, Hardware ASML sumó el 8 de septiembre de 2026 los dos clientes que le faltaban para su máquina más avanzada. TSMC usará litografía High NA EUV en manufactura de alto volumen para nodos avanzados desde 2030 y Samsung la llevará a la producción masiva de DRAM en 2028, un movimiento que la surcoreana presenta como el primero de la industria en memoria. Ambas se suman a Intel, que ya la usa en producción. En paralelo, las tres respaldaron junto con ASML el cambio del estándar de fotomáscaras que la industria arrastra desde hace décadas: de 6 pulgadas a un formato de 12, con una línea piloto en 2031 y sistemas listos para nodos avanzados en 2033\. Sin esa máscara más larga, el escáner más avanzado de ASML no puede imprimir de una sola exposición los chips grandes de inteligencia artificial. Los anuncios se repartieron entre el 7 y el 8 de septiembre alrededor de la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, en Monterey, California. Intel Foundry y ASML aprovecharon la cita para poner número a lo que ya está en la línea: más de un millón de obleas procesadas con High NA entre certificación de equipos, investigación y producción de volumen en capas selectas de una parte de los procesadores Intel Core Ultra Series 3, con nombre clave Panther Lake. Intel afirma que el overlay, el rendimiento por hora y la disponibilidad de las herramientas cumplen lo esperado, y que los productos fabricados en Intel 18A con High NA en esas capas igualan o superan a las capas comparables hechas con EUV de apertura numérica 0.33. ## Por qué High NA obliga a partir el chip en dos La litografía EUV convencional trabaja con una apertura numérica de 0.33 y reduce el patrón cuatro veces en los dos ejes, así que una máscara de 6 pulgadas alcanza para un campo de exposición de 26 por 33 milímetros. High NA sube esa apertura a 0.55 para resolver detalles más finos, y lo logra con óptica anamórfica: la reducción es de cuatro veces en un eje y de ocho en el otro. Con la misma máscara, el campo útil sobre la oblea se queda en unos 26 por 16.5 milímetros, la mitad. Las herramientas EUV de uso extendido imprimen chips de hasta unos 800 milímetros cuadrados, y empresas como Nvidia y Google diseñan justo hasta ese tope, según el despacho de Reuters firmado por Stephen Nellis. Cuando el diseño no cabe en el campo de High NA, el escáner lo expone en dos mitades y las une sobre la oblea, una técnica llamada stitching. Funciona, y es la que Intel Foundry ofrece hoy a sus clientes junto con las soluciones de su PDK, pero cobra peaje: en un EXE:5200B el rendimiento baja de 175 a 125 obleas por hora, el diseño pierde libertad para acomodar bloques y las dos exposiciones deben alinearse con tal precisión que un desvío mínimo distorsiona líneas o rompe interconexiones en la costura, según el reporte de Anton Shilov en Tom's Hardware. ![Scientist in protective gear holding a transparent test sheet in a laboratory.](https://fomoera.com/content/images/2026/09/fomoera-pexels-5118461--source.jpg) Imagen ilustrativa: el manejo de retículos en sala limpia es una de las piezas que la industria tendría que rehacer para máscaras del doble de largo. · Foto de [Российский центр гибкой электроники](https://www.pexels.com/@3430425?ref=fomoera.com) en [Pexels](https://www.pexels.com/photo/woman-holding-chemistry-results-5118461/?ref=fomoera.com) ## El calendario reparte el salto entre 2028 y 2033 La máscara nueva mide 6 por 12 pulgadas, el doble de larga que la actual de 6 por 6, y la industria la nombra por su lado mayor. Con ese tamaño, el escáner puede exponer el campo completo de 26 por 33 milímetros de una sola vez y el stitching deja de hacer falta. ASML mide el beneficio en productividad y lo condiciona al esfuerzo colectivo: Marco Pieters, director de tecnología de la compañía, dijo a Reuters que si la industria lo saca adelante, la productividad de esos sistemas subiría 40%. Los compromisos anunciados no llegan al mismo tiempo ni apuntan al mismo tipo de chip. __Compromisos y planes declarados con la litografía High NA EUV de ASML al 8 de septiembre de 2026__ | Empresa | Compromiso o plan declarado | Fecha objetivo | | ------------- | ------------------------------------------------------------------------------------ | -------------- | | Intel Foundry | Producción de volumen en capas selectas de Panther Lake, sobre Intel 18A | En curso | | Samsung | Producción masiva de DRAM | 2028 | | TSMC | Manufactura de alto volumen en nodos avanzados | 2030 | | SK Hynix | Evalúa entrar al consorcio de máscaras y aplicar High NA a producción masiva de DRAM | 2028 | La declaración de SK Hynix, recogida por Reuters, matiza el primer lugar que se atribuye Samsung: la otra gran memoria coreana también fija 2028 para llevar procesos High NA EUV a la producción masiva de DRAM, aunque todavía evalúa si se suma al consorcio de las máscaras grandes. ## Cambiar la máscara obliga a rehacer la cadena que la rodea Duplicar el largo del retículo mueve casi todo lo que lo acompaña: blanks y sustratos, recubrimientos y absorbedores, escritores de patrones, inspección y metrología, limpieza, pellicles, contenedores y robots de manipulación. Una máscara más grande pesa más y es más difícil de mantener plana, y una distorsión mínima se imprime igual en muchas obleas. Por eso la iniciativa arranca siete años antes de la fecha de producción y por eso ASML y TSMC la plantearon como un esfuerzo de toda la cadena, con proveedores y fabricantes presentes en el anuncio del 7 de septiembre. Queda una pieza sin respuesta pública: el escáner. Ni ASML ni Intel confirmaron que los equipos High NA existentes o ya planeados puedan modificarse para aceptar el retículo largo, y la hoja de ruta de ASML sigue diseñando los sistemas que llegarán antes y después de 2033 alrededor de la máscara de 6 por 6 pulgadas y del stitching, según Tom's Hardware. Intel Foundry lleva más de tres años empujando el formato grande, así que el fabricante que definió el estándar tendría ventaja de origen si el cambio se concreta. Mientras tanto, el chip grande de inteligencia artificial se seguirá imprimiendo en dos mitades. Las capas de High NA llegarán a TSMC y a Samsung antes que la máscara que las libera del stitching, y el ahorro que ASML promete depende de que fabricantes de máscaras, proveedores de materiales, casas de EDA y fundiciones cambien de formato al mismo tiempo. *Fuentes:* [1](https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/tsmc-and-asml-announce-industry-transition-to-large-format-photomasks-for-high-na-euv?ref=fomoera.com), [2](https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-and-asml-expand-strategic-collaboration-for-next-generation-semiconductor-manufacturing?ref=fomoera.com), [3](https://www.intc.com/news-events/press-releases/detail/1781/intel-foundry-and-asml-collaborate-to-accelerate-industry?ref=fomoera.com), [4](https://www.thestar.com.my/tech/tech-news/2026/09/08/asml-to-work-with-major-chipmakers-to-use-latest-tools-for-larger-chips?ref=fomoera.com), [5](https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/intel-surpasses-one-million-high-na-euv-wafers-processed-outpaces-the-rest-of-the-industry-combined-company-also-trailblazing-giant-6-12-photomasks-to-speed-production-and-lower-costs1?ref=fomoera.com)